光刻胶需要2~7℃避光冷藏

光刻胶又称光致抗蚀剂。由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。它利用感光树脂光照后，树脂的溶解性或亲和性发生明显的变化，在光 刻工艺过程中，用做抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，采用适当的有选择性的光刻胶，使表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正、负型 两大类。在光刻工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分衩溶解，未曝光部分留下来，该辞涂层材料为正型光刻胶；如果曝光部分保留下来，而未曝光部分被溶 解，该涂层材料为负型光刻胶。光刻胶生产技术复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中使用光刻胶更是要求严格，而当集成电路向大规模、超大规模发 展时，曝光光源由紫外光向远紫外、电子束、X射线、离子束辐射光源变化，对光刻胶性能要求更高。

（1 ）紫外负型光刻胶

1954 年 EastMan-Kodak 公司合成了人类第一种感光聚合物——聚乙烯醇肉桂酸酯，开创了聚乙烯醇肉桂酸酯及其衍生物类光刻胶体系，这是人类先应用在电子工业上的光刻胶。1958 年 Kodak 公司又开发出了环化橡胶-双叠氮系光刻胶。

（2 ）紫外正型光刻胶

1950 年左右开发出的酚醛树脂—重氮萘醌正型光刻胶用稀碱水显影，显影时不存在胶膜溶胀问题，因此分辨率较高，且抗干法蚀刻性较强，故能满足大规模集成电路及超大规模集成电路的制作。紫外正型光刻胶根据所用的曝光机不同，又可分为宽谱紫外正胶（2-3μm，0.8-1.2μm）、G 线正胶（0.5-0.6μm）、I 线（0.35-0.5μm）正胶，主要用于集成电路制造及 LCD 制造。

（3）深紫外光刻胶 深紫外光刻胶

与紫外光刻胶不同的是,深紫外光刻胶均为化学放大光刻胶（CAR）。CAR 的特点是：在光刻胶中加入光致产酸剂，在光辐射下，产酸剂分解出酸，在中烘时，酸作为催化剂，催化成膜树脂脱去保护基团（正胶），或催化交联剂与成膜树脂发生交联反应（负胶）

（4 ）下一代 EUV  光刻胶

正在推进中的 EUV 光刻机需要搭配其特别的光刻胶，而 EUV 光刻机的技术也对EUV 光刻胶提出了相当苛刻的要求。EUV 光刻胶需要有低吸光率、高透明度、高抗蚀刻性、高分辨率（小于 22nm）、高灵敏度、低曝光剂量（小于 10mJ/cm 2 ）、高环境稳定性、低产气作用和低的线边缘粗糙度（小于 1.5nm）等。

光刻十步法工艺过程

表面准备：清洗并甩干晶圆表面

涂胶：用旋涂法在表面涂覆一层薄的光刻胶

软烘焙：通过加热使光刻胶溶剂部分蒸发

对准和曝光：掩膜版与晶圆的**对准，并使光刻胶曝光

显影：去除非聚合的光刻胶

硬烘焙：对溶剂的继续蒸发

显影检查：检查表面的对准和缺陷

刻蚀：将晶圆顶层通过光刻胶的开口部分去除

剥离：将晶圆上的光刻胶去除

*终检查：对于刻蚀的不规则和其他问题进行表面检查